[Toc]

Structure

• 通常NMOS的器件衬底(substrate)接地
• PMOS的器件衬底接电源
• 珊极 - Gate(G)
• 源极 - Source(S)
• 漏极 - Drain(D)

V-I feature

Three Situation

1. Linear Triode(线性三极管)

• 条件是

µn 是 电子迁移度

L 为有效沟道长度

Vth 为阀值电压

Cox 为单位面积的珊化层电容

2. Saturation(饱和度 )

• 条件是
• 

3. Cut Off

Transconductance (gm) -跨导

1. Saturation

• Small signal model

2. Linear Triode

Three Effect

Channel Length Modulation

• The end point of the channel actually moves toward the source as VD increases, increasing Id

  随着端点往源极大移动，导致Vd增长，同时增长Id。

  

Velocity Saturation

• 由于通道非常短，不需要很大的漏极电压就能让电荷粒子快速饱和

• 在快速饱和的情况下，漏极电压称为了栅极电压的线性函数，gm成为了W的函数。

Body Effect

当源电位偏离电位时，阀值电压会发生变化。

Layer of a Mos Transistor(Using design rules)